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HGTP12N60C3D

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTP12N60C3D
Descripción: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 48nC
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 104W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Condición de la prueba -
Número de pieza base HGTP12N60
Cambio de energía 380µJ (on), 900µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 40ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 24A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 96A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.87 $3.79 $3.72
Mínimo: 1

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