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HGTG30N60B3D

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTG30N60B3D
Descripción: IGBT 600V 60A 208W TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 170nC
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 208W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Número de pieza base HGTG30N60
Cambio de energía 550µJ (on), 680µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 36ns/137ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 55ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 220A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 1534 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.43 $5.32 $5.21
Mínimo: 1

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