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HGTD3N60C3S9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTD3N60C3S9A
Descripción: IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 10.8nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 33W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condición de la prueba 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Cambio de energía 85µJ (on), 245µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 6A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 24A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 68 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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