Image is for reference only , details as Specifications

HGTD1N120BNS9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTD1N120BNS9A
Descripción: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 14nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 60W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condición de la prueba 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Número de pieza base HGTD1N120
Cambio de energía 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 15ns/67ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 5.3A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 6A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 5344 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

2N4949
Central Semiconductor Corp
$0
2N4948
Central Semiconductor Corp
$0
2N4853
Central Semiconductor Corp
$0
2N4852
Central Semiconductor Corp
$0
2N4851
Central Semiconductor Corp
$0