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HGT1S3N60A4DS9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGT1S3N60A4DS9A
Descripción: IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 21nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 70W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Cambio de energía 37µJ (on), 25µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 6ns/73ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263AB
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 29ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 17A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 40A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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