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HGT1S20N60A4S9A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGT1S20N60A4S9A
Descripción: IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 142nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 290W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Cambio de energía 105µJ (on), 150µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 15ns/73ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263AB
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 70A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 280A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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