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HGT1S12N60A4DS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGT1S12N60A4DS
Descripción: IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 78nC
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 167W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base HGT1S12N60
Cambio de energía 55µJ (on), 50µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 17ns/96ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263AB
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 54A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 96A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.27 $3.20 $3.14
Mínimo: 1

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