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HGT1S10N120BNST

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGT1S10N120BNST
Descripción: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 100nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 298W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base HGT1S10N120
Cambio de energía 320µJ (on), 800µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 23ns/165ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263AB
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 35A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 80A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 1209 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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