H11G2VM
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
Ficha técnica: | H11G2VM |
Descripción: | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
Serie | - |
Empaquetado | Tube |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Número de canales | 1 |
Voltaje - Aislamiento | 4170Vrms |
Saturación de Vce (máx.) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tiempo de subida/caída (típico) | - |
Voltaje - Salida (máx.) | 80V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-DIP |
Corriente - Salida / Canal | - |
Relación de transferencia de corriente (máx.) | - |
Relación de transferencia de corriente (mín.) | 1000% @ 10mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (típico) | 1.3V |
Activar / Desactivar tiempo (típico) | 5µs, 100µs |
Corriente - DC Forward (Si) (Máx.) | 60mA |
En stock 71 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.49 | $0.48 | $0.47 |
Mínimo: 1