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H11G2TVM

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Ficha técnica: H11G2TVM
Descripción: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 4170Vrms
Saturación de Vce (máx.) 1V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 100°C
Tiempo de subida/caída (típico) -
Voltaje - Salida (máx.) 80V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-DIP
Corriente - Salida / Canal -
Relación de transferencia de corriente (máx.) -
Relación de transferencia de corriente (mín.) 1000% @ 10mA
Voltaje - Adelante (Vf) (típico) 1.3V
Activar / Desactivar tiempo (típico) 5µs, 100µs
Corriente - DC Forward (Si) (Máx.) 60mA

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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