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H11G2M_F132
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Ficha técnica: | H11G2M_F132 |
| Descripción: | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de entrada | DC |
| Tipo de salida | Darlington with Base |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Número de canales | 1 |
| Voltaje - Aislamiento | 4170Vrms |
| Saturación de Vce (máx.) | 1V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
| Tiempo de subida/caída (típico) | - |
| Voltaje - Salida (máx.) | 80V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-DIP |
| Corriente - Salida / Canal | - |
| Relación de transferencia de corriente (máx.) | - |
| Relación de transferencia de corriente (mín.) | 1000% @ 10mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (típico) | 1.3V |
| Activar / Desactivar tiempo (típico) | 5µs, 100µs |
| Corriente - DC Forward (Si) (Máx.) | 60mA |
En stock 84 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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