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FQU2N50BTU-WS

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FQU2N50BTU-WS
Descripción:	MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id	3.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.3Ohm @ 800mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	230pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V