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FQPF2N80YDTU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FQPF2N80YDTU
Descripción: MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220F-3 (Y-Forming)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 550pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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