FQPF2N80YDTU
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FQPF2N80YDTU |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.3Ohm @ 750mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 35W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 15nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 550pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.5A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 59 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.79 | $0.77 | $0.76 |
Mínimo: 1