Image is for reference only , details as Specifications

FQPF10N60C

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FQPF10N60C
Descripción: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220F
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 57nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2040pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 923 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.23 $2.19 $2.14
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXTY1R6N100D2
IXYS
$2.18
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
$2.18
IRFI4410ZPBF
Infineon Technologies
$2.14
IPP50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
$2.16
TK72A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.13