La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FQN1N50CTA

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FQN1N50CTA
Descripción:	MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6Ohm @ 190mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-92-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	6.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	195pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	380mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V