FQI7N80TU
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FQI7N80TU |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | I2PAK (TO-262) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 52nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1850pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6.6A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 58 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.23 | $1.21 | $1.18 |
Mínimo: 1