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FQD12N20LTM-F085P

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FQD12N20LTM-F085P
Descripción:	NMOS DPAK 200V 280 MOHM
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	21nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1080pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V