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FQB8P10TM

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FQB8P10TM
Descripción:	MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	530mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.75W (Ta), 65W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	470pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V