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FQA19N60

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FQA19N60
Descripción:	MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id	5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	380mOhm @ 9.3A, 10V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-3PN
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	18.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V