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FJN3313RBU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: FJN3313RBU
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Resistencia - Base emisora (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 83 pcs

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