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FGA60N65SMD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: FGA60N65SMD
Descripción: IGBT 650V 120A 600W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 189nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 600W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Cambio de energía 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 18ns/104ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 47ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 120A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 180A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 865 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.88 $4.78 $4.69
Mínimo: 1

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