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FGA50N100BNTD2

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: FGA50N100BNTD2
Descripción: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT and Trench
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 257nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 156W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC 34ns/243ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 75ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 200A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1000V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.10 $4.02 $3.94
Mínimo: 1

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