Image is for reference only , details as Specifications

FGA30N120FTDTU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: FGA30N120FTDTU
Descripción: IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 208nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 339W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba -
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PN
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 730ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 90A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.68 $6.55 $6.42
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IGW50N65F5FKSA1
Infineon Technologies
$5.09
IKW40N65WR5XKSA1
Infineon Technologies
$4.32
IGW40N65H5FKSA1
Infineon Technologies
$3.86
RGTH00TS65GC11
ROHM Semiconductor
$3.74
RGT80TS65DGC11
ROHM Semiconductor
$3.68