La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FGA25N120FTD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: FGA25N120FTD
Descripción: IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 160nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 313W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Cambio de energía 340µJ (on), 900µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 48ns/210ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 770ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 75A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRGSL10B60KDPBF
Infineon Technologies
$0
IRGP30B120KDPBF
Infineon Technologies
$0
FGA70N33BTDTU
ON Semiconductor
$0
STGW33IH120D
STMicroelectronics
$0
IRGP4086PBF
Infineon Technologies
$0