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FDV302P

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDV302P
Descripción: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 350mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.31nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 11pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

En stock 200641 pcs

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