La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDT86113LZ

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDT86113LZ
Descripción: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 315pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 19494 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ZXMP10A17E6QTA
Diodes Incorporated
$0
ZXMN3A03E6TA
Diodes Incorporated
$0.81
SI7619DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
$0
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
$0