La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDS5690

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDS5690
Descripción: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 32nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1107pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 334 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIR850DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
$0
BUK7640-100A,118
Nexperia USA Inc.
$1.12
TPCC8008(TE12L,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SI4636DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$1.17