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FDS3812

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDS3812
Descripción: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 74mOhm @ 3.4A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 634pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.4A

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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