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FDP2670

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDP2670
Descripción: MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 130mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 93W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1320pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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