La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDN5630

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDN5630
Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 1.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 400pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 120791 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NTGS4111PT1G
ON Semiconductor
$0
FDN306P
ON Semiconductor
$0
PMV65XP,215
Nexperia USA Inc.
$0
SI1077X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1013R-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0