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FDN5618P_G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDN5618P_G
Descripción: INTEGRATED CIRCUIT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 1.25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 430pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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