FDN5618P_G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FDN5618P_G |
Descripción: | INTEGRATED CIRCUIT |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SuperSOT-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13.8nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 430pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.25A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 74 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1