La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDN359BN

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDN359BN
Descripción: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 22126 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.45 $0.44 $0.43
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMP3130LQ-7
Diodes Incorporated
$0
BSH114,215
Nexperia USA Inc.
$0
DMP2130L-7
Diodes Incorporated
$0.13
AO6404
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
NTGS4141NT1G
ON Semiconductor
$0.49