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FDN357N

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDN357N
Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.9nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 235pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 46171 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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