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FDN339AN_G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDN339AN_G
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 700pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 86 pcs

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