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FDI3652

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDI3652
Descripción: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK (TO-262)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 53nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2880pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 81 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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