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FDI038AN06A0

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDI038AN06A0
Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 310W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK (TO-262)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 124nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 76 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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