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FDG311N

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDG311N
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 750mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88 (SC-70-6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 270pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 7492 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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