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FDFMA3P029Z

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDFMA3P029Z
Descripción: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.4W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-MicroFET (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 435pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 61 pcs

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