FDFMA2P859T
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FDFMA2P859T |
Descripción: | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.3V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.4W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | MicroFET 2x2 Thin |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 6nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 435pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 78 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1