FDFMA2P029Z-F106
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FDFMA2P029Z-F106 |
Descripción: | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | P-Channel |
Vgs (máx.) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.4W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-MicroFET (2x2) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 10nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 720pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.1A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
En stock 96 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.37 | $0.36 | $0.36 |
Mínimo: 1