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FDFM2N111

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDFM2N111
Descripción: MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.7W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores MicroFET 3x3mm
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 273pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 89 pcs

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