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FDD7N60NZTM

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD7N60NZTM
Descripción: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UniFET-II™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Disipación de energía (máx.) 90W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 730pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1913 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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