Image is for reference only , details as Specifications

FDD6680AS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD6680AS
Descripción: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®, SyncFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de pieza base FDD6680
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1200pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 55A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2400 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NVD6416ANLT4G-VF01
ON Semiconductor
$0
FJ3P02100L
Panasonic Electronic Components
$0
MTMF82310BBF
Panasonic Electronic Components
$0
BUK662R4-40C,118
Nexperia USA Inc.
$0
DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
$0