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FDD6680

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD6680
Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de pieza base FDD6680
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-PAK (TO-252)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1230pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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