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FDD4N60NZ

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD4N60NZ
Descripción: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UniFET-II™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 114W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 510pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1460 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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