Image is for reference only , details as Specifications

FDD3706

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD3706
Descripción: MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 16.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-PAK (TO-252AA)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1882pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

En stock 3277 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RSD201N10TL
ROHM Semiconductor
$0
FQD9N25TM
ON Semiconductor
$0
TPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRFR9N20DTRPBF
Infineon Technologies
$0
PSMN022-30BL,118
Nexperia USA Inc.
$0