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FDD3510H

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDD3510H
Descripción: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET N and P-Channel, Common Drain
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.3W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252-4L
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 800pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A, 2.8A

En stock 1368 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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