FDD3510H
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | FDD3510H |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.3W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-252-4L |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 18nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 800pF @ 40V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.3A, 2.8A |
En stock 1368 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1