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FDD306P

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD306P
Descripción: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 52W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1290pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 2500 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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