Image is for reference only , details as Specifications

FDD1600N10ALZD

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD1600N10ALZD
Descripción: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs(th) (Max) - Id 2.8V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 14.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252-4L
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.61nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 225pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDME430NT
ON Semiconductor
$0
HUF76639S3ST-F085
ON Semiconductor
$0
DMN62D0LFD-7
Diodes Incorporated
$0
DMN10H170SFG-7
Diodes Incorporated
$0
PMZB790SN,315
Nexperia USA Inc.
$0