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FDD1600N10ALZ

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD1600N10ALZ
Descripción: MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.8V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 14.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.61nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 225pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 5000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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